2025年AI的兴起，对光模块和数据中心的需求越来越大，而在数据中心光互连领域，Lumentum和Coherent被视为光互连领域的绝对领导者。Lumentum公司于2015年2月10日在特拉华州注册成立，是JDSU的全资子公司，是光学和光子产品供应商。

Lumentum控股于2025年11月5日发布2026财年一季报，2025年6月29日至2025年9月27日收入为5.34亿美元，同比增长58.44%，净利润为420万美元，同比扭亏为盈。MorganStanley维持其“持股观望”评级，目标价304美元。目前市值约240亿美金，也有快1700亿人民币的市值了。JDSU大家应该比较熟悉，做通信行业很厉害的头部公司。Lumentum的产品主要还是围绕激光展开，数据中心的激光类产品或者光开关等。

光通信业务：提供光模块、光收发器、光开关、波长管理器件等，用于数据中心、5G通信、长途传输等场景；

商用激光器业务：生产工业级激光器（如光纤激光器、超快固态激光器）、半导体激光器（如VCSEL、EEL），应用于精密制造、3D传感、自动驾驶等领域。

技术领先性掌握砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等关键半导体材料技术，以及垂直腔面发射激光器（VCSEL）、边缘发射激光器（EEL）、光开关等核心器件的设计与制造工艺。Lumentum高管近日说他们的EML激光器基本上已经售罄到2026年，而且2027年也基本都被预订满了首页中200G EML激光器芯片

特性与优势

消光比(ER)：~5 dB

粗波分复用(CWDM)波长：1271、1291、1311、1331 nm

支持115GBd PAM4调制

制冷运行（典型值~55°C）

单端驱动架构

可实现1.6T收发器（八通道200G，传输距离达2 km）

紧凑低功耗设计，适用于高密度DR和FR模块

通过GR-468认证，确保长期可靠性及量产规模

    我们来看什么是EML激光器和有哪些技术特点： 

EML（电吸收调制激光器）技术基于磷化铟（InP）等 III-V 族半导体材料，属于高度集成、工艺成熟的有源光芯片。

EML 的核心是将一个分布式反馈（DFB）激光器和一个电吸收调制器（EAM）通过单片集成技术，制作在同一块半导体芯片上； EML的一个关键技术就是设法实现DFB激光器与EA调制器的波长匹配，以保证在零调制偏压状态下激光器的输出光可以基本无损地通过调制器。

激光器芯片根据结构不同，分成FP芯片，FP激光器是因为采用了法布里-珀罗谐振器，Fabry-Perot，这种是工艺比较简单的芯片。

DFB也叫分布反馈激光器是在FP激光器的基础上，加了光栅，可以过滤模式，实现单模激光。Distributed Feed Back， DFB。

EML激光器EML激光器主要由三部分构成：前端的电吸收调制器（EAM）、后端的分布式反馈激光器（DFB）以及两者之间的集成结构。EAM通过量子限制斯塔克效应实现高速光调制，DFB则提供稳定的激光输出。为提升性能，部分设计还会集成半导体光放大器（SOA）以增加光输出功率。

通过看芯片结构发现，EML是DFB芯片和EAM合成一个芯片而成。

EAM调制器部分：

利用弗朗兹-凯尔迪什效应实现光强度调制

通过反向偏压改变吸收特性

实现高速电光转换

弗朗兹－凯尔迪什效应(Franz-Keidysh, F-K）是电吸收效应的一种，指的是在外加电场作用下某些半导体的能带发生弯曲，使得导带和价带间的带隙发生变化，价带电子通过隧穿跃迁到导带的几率大大增加，有效能隙减小，使得吸收边发生红移。也就是通电，影响带隙，吸收更长波长的光。使得出光波长变短，进而有选择光的功能。

在这个芯片结构中就有一个明显的新工艺。

隔离DFB和EAM模块之间的导电。

氢离子注入实现激光器与调制器之间的电学隔离（电阻>10kΩ）

PECVD沉积200nm SiNx钝化层，减少表面复合

接触窗口开口，采用反应离子刻蚀（RIE）技术

退火处理（400℃，30min）改善界面特性

同时应用段对EML芯片波长精度要求较高：

中心波长偏差<±0.5 nm

温度稳定性<0.1 nm

长期漂移<0.02 nm/年

EML未来在数据中心的需求量会更大，国内企业也有几家做出来的，但是和Lumentum的参数还有一定差距。